
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥84.142575 | ¥84.14 |
| 10 | ¥77.331033 | ¥773.31 |
| 100 | ¥65.312803 | ¥6531.28 |
| 500 | ¥58.100261 | ¥29050.13 |
| 1000 | ¥54.639785 | ¥54639.79 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 80 A
漏源电阻 38 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 140 nC
耗散功率 890 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
正向跨导(Min) 33 S
湿度敏感性 Yes
上升时间 24 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 70 ns
典型接通延迟时间 32 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
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0IXFT80N65X2HV
型号:IXFT80N65X2HV
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥84.142575 |
| 10+: | ¥77.331033 |
| 100+: | ¥65.312803 |
| 500+: | ¥58.100261 |
| 1000+: | ¥54.639785 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥84.14