TK11P65W,RQ
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- TK11P65W,RQ
- 制造商：
- Toshiba(东芝)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 650V 11.1A DPAK-0S
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：2000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2000 | ￥5.802194 | ￥11604.39 |
规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 11.1 A
漏源电阻 350 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 25 nC
耗散功率 100 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.5 ns
上升时间 23 ns
典型关闭延迟时间 85 ns
典型接通延迟时间 45 ns
外形参数
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 5.5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
TK11P65W,RQ 同类别型号
注
TK11P65W,RQ品牌厂家：Toshiba
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、TK11P65W,RQ
数据手册PDF
。
TK11P65W,RQ
型号：TK11P65W,RQ
品牌：Toshiba
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2000+： | ￥5.802194 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00