货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥8.402096 | ¥8.40 |
10 | ¥7.388902 | ¥73.89 |
25 | ¥6.944086 | ¥173.60 |
100 | ¥5.040022 | ¥504.00 |
250 | ¥4.861354 | ¥1215.34 |
500 | ¥4.211426 | ¥2105.71 |
1000 | ¥3.584234 | ¥3584.23 |
2500 | ¥3.360221 | ¥8400.55 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 48 A
漏源电阻 7.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 24 nC
耗散功率 32 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.4 ns
正向跨导(Min) 28 S
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 8.8 ns
典型接通延迟时间 9 ns
高度 1.27 mm
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSC090N03MS G SP000313120
单位重量 123.540 mg
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0BSC090N03MSGATMA1
型号:BSC090N03MSGATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥8.402096 |
10+: | ¥7.388902 |
25+: | ¥6.944086 |
100+: | ¥5.040022 |
250+: | ¥4.861354 |
500+: | ¥4.211426 |
1000+: | ¥3.584234 |
2500+: | ¥3.360221 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥8.40