货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥44.976572 | ¥44.98 |
10 | ¥40.393109 | ¥403.93 |
100 | ¥33.093176 | ¥3309.32 |
500 | ¥28.284472 | ¥14142.24 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 113 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 56 nC
耗散功率 219 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
上升时间 9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 44 ns
典型接通延迟时间 14 ns
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPP60R125P6 SP001114648
单位重量 2 g
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0IPP60R125P6XKSA1
型号:IPP60R125P6XKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥44.976572 |
10+: | ¥40.393109 |
100+: | ¥33.093176 |
500+: | ¥28.284472 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥44.98