
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥36.775364 | ¥36.78 |
| 10 | ¥33.027668 | ¥330.28 |
| 100 | ¥27.058834 | ¥2705.88 |
| 500 | ¥23.126969 | ¥11563.48 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 113 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 56 nC
耗散功率 219 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
上升时间 9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 44 ns
典型接通延迟时间 14 ns
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPP60R125P6 SP001114648
单位重量 2 g
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0IPP60R125P6XKSA1
型号:IPP60R125P6XKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥36.775364 |
| 10+: | ¥33.027668 |
| 100+: | ¥27.058834 |
| 500+: | ¥23.126969 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥36.78