IRF630NS
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- 制造商编号：
- IRF630NS
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：200
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 200 | ￥10.830928 | ￥2166.19 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
IRF630NS
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
包装
Tube
系列
HEXFET®
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
9.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
300mOhm @ 5.4A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
35nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
575pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
82W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
D2PAK
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF630NS 同类别型号
注
IRF630NS品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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数据手册PDF
。
IRF630NS
型号：IRF630NS
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 200+： | ￥10.830928 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00