
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥5.944421 | ¥5.94 |
| 50 | ¥4.757891 | ¥237.89 |
| 100 | ¥3.769705 | ¥376.97 |
| 500 | ¥3.195509 | ¥1597.75 |
| 1000 | ¥2.603068 | ¥2603.07 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVIII-H
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 35 A
漏源电阻 10 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 25 nC
耗散功率 30 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 15 mm
长度 10 mm
宽度 4.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0TK35A08N1,S4X
型号:TK35A08N1,S4X
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥5.944421 |
| 50+: | ¥4.757891 |
| 100+: | ¥3.769705 |
| 500+: | ¥3.195509 |
| 1000+: | ¥2.603068 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥5.94