
货期:国内(1~3工作日)
起订量:800
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 800 | ¥10.182061 | ¥8145.65 |
| 1600 | ¥8.436518 | ¥13498.43 |
| 2400 | ¥7.854671 | ¥18851.21 |
| 5600 | ¥7.563778 | ¥42357.16 |
制造商 Infineon
商标名 StrongIRFET
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 135 V
漏极电流 129 A
漏源电阻 8.4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 180 nC
耗散功率 441 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 81 ns
正向跨导(Min) 200 S
上升时间 73 ns
典型关闭延迟时间 114 ns
典型接通延迟时间 18 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF135S203 SP001570032
单位重量 4 g
购物车
0IRF135S203
型号:IRF135S203
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 800+: | ¥10.182061 |
| 1600+: | ¥8.436518 |
| 2400+: | ¥7.854671 |
| 5600+: | ¥7.563778 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00