SIHB17N80E-GE3
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- 制造商编号：
- SIHB17N80E-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 800V D2PAK TO-263
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1000 | ￥37.512878 | ￥37512.88 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 15 A
漏源电阻 290 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 122 nC
耗散功率 208 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 26 ns
正向跨导（Min） 8.7 S
上升时间 24 ns
典型关闭延迟时间 71 ns
典型接通延迟时间 22 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
SIHB17N80E-GE3 同类别型号
注
SIHB17N80E-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购SIHB17N80E-GE3、查询SIHB17N80E-GE3代理商；
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替代型号
、SIHB17N80E-GE3
数据手册PDF。
SIHB17N80E-GE3
型号：SIHB17N80E-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1000+： | ￥37.512878 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00