货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥10.232577 | ¥10.23 |
10 | ¥9.17588 | ¥91.76 |
100 | ¥7.154778 | ¥715.48 |
500 | ¥5.910684 | ¥2955.34 |
1000 | ¥4.666322 | ¥4666.32 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVIII-H
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 120 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 11 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 34 nC
耗散功率 98 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 14 ns
上升时间 14 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 43 ns
典型接通延迟时间 33 ns
高度 15.1 mm
长度 10.16 mm
宽度 4.45 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0TK32E12N1,S1X
型号:TK32E12N1,S1X
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥10.232577 |
10+: | ¥9.17588 |
100+: | ¥7.154778 |
500+: | ¥5.910684 |
1000+: | ¥4.666322 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥10.23