SCT20N120AG
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- 制造商编号：
- SCT20N120AG
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥113.929783 | ￥113.93 |
| 10 | ￥100.392587 | ￥1003.93 |
| 100 | ￥86.824427 | ￥8682.44 |
| 500 | ￥78.684816 | ￥39342.41 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SCT20N120AG
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
包装
-
系列
Automotive, AEC-Q101
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
漏源电压（Vdss）
1200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
20V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
239mOhm @ 10A, 20V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
45nC @ 20V
Vgs（最大值）
+25V, -10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
650pF @ 400V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
153W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 200°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
HiP247™
封装/外壳
TO-247-3
SCT20N120AG 同类别型号
注
SCT20N120AG品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SCT20N120AG
数据手册PDF。
SCT20N120AG
型号：SCT20N120AG
品牌：ST
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥113.929783 |
| 10+： | ￥100.392587 |
| 100+： | ￥86.824427 |
| 500+： | ￥78.684816 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥113.93