SISH410DN-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SISH410DN-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥2.600177 | ￥7800.53 |
| 6000 | ￥2.363798 | ￥14182.79 |
| 15000 | ￥2.254699 | ￥33820.49 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 35 A
漏源电阻 4.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 41 nC
耗散功率 52 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15 ns
正向跨导（Min） 70 A
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 12 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 488.500 mg
SISH410DN-T1-GE3 同类别型号
注
SISH410DN-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SISH410DN-T1-GE3
数据手册PDF。
SISH410DN-T1-GE3
型号：SISH410DN-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥2.600177 |
| 6000+： | ￥2.363798 |
| 15000+： | ￥2.254699 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00