货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥30.025138 | ¥30.03 |
10 | ¥26.960844 | ¥269.61 |
25 | ¥25.438582 | ¥635.96 |
100 | ¥19.841303 | ¥1984.13 |
250 | ¥19.332728 | ¥4833.18 |
500 | ¥16.789117 | ¥8394.56 |
1000 | ¥14.24526 | ¥14245.26 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 1.16 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.3 V
栅极电荷 53 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 40 ns
正向跨导(Min) 147 S
上升时间 100 ns
典型关闭延迟时间 56 ns
典型接通延迟时间 45 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
购物车
0SIDR402DP-T1-GE3
型号:SIDR402DP-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥30.025138 |
10+: | ¥26.960844 |
25+: | ¥25.438582 |
100+: | ¥19.841303 |
250+: | ¥19.332728 |
500+: | ¥16.789117 |
1000+: | ¥14.24526 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥30.03