货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥36.65238 | ¥36.65 |
10 | ¥30.406516 | ¥304.07 |
100 | ¥24.196806 | ¥2419.68 |
500 | ¥20.474718 | ¥10237.36 |
1000 | ¥17.372482 | ¥17372.48 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 64.6 A
漏源电阻 17.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 27 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
正向跨导(Min) 33 S
上升时间 6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 18 ns
典型接通延迟时间 13 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
购物车
0SIDR622DP-T1-GE3
型号:SIDR622DP-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥36.65238 |
10+: | ¥30.406516 |
100+: | ¥24.196806 |
500+: | ¥20.474718 |
1000+: | ¥17.372482 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥36.65