SIDR622DP-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIDR622DP-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CHAN 150V
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥42.02472 | ￥42.02 |
| 10 | ￥34.863365 | ￥348.63 |
| 100 | ￥27.743464 | ￥2774.35 |
| 500 | ￥23.475809 | ￥11737.90 |
| 1000 | ￥19.918861 | ￥19918.86 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 64.6 A
漏源电阻 17.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 27 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
正向跨导（Min） 33 S
上升时间 6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 18 ns
典型接通延迟时间 13 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
SIDR622DP-T1-GE3 同类别型号
注
SIDR622DP-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SIDR622DP-T1-GE3
数据手册PDF。
SIDR622DP-T1-GE3
型号：SIDR622DP-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥42.02472 |
| 10+： | ￥34.863365 |
| 100+： | ￥27.743464 |
| 500+： | ￥23.475809 |
| 1000+： | ￥19.918861 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥42.02