IXTH10N100D
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- 制造商编号：
- IXTH10N100D
- 制造商：
- IXYS(艾赛斯.力特)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：30
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 30 | ￥102.782519 | ￥3083.48 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
IXTH10N100D
制造商
IXYS(艾赛斯.力特)
商品描述
MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247
包装
Tube
系列
-
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
1000V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
10A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
1.4Ohm @ 10A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
130nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
2500pF @ 25V
FET 功能
Depletion Mode
功率耗散（最大值）
400W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
TO-247 (IXTH)
封装/外壳
TO-247-3
IXTH10N100D 同类别型号
注
IXTH10N100D品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IXTH10N100D
数据手册PDF。
IXTH10N100D
型号：IXTH10N100D
品牌：IXYS
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 30+： | ￥102.782519 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00