
货期:国内(1~3工作日)
起订量:800
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 800 | ¥11.649477 | ¥9319.58 |
| 1600 | ¥9.974885 | ¥15959.82 |
| 2400 | ¥9.392429 | ¥22541.83 |
| 5600 | ¥9.011075 | ¥50462.02 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 120 A
漏源电阻 1.4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 285 nC
耗散功率 375 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
正向跨导(Min) 212 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 74 ns
典型接通延迟时间 15 ns
高度 4.83 mm
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
购物车
0SQM120N04-1M7L_GE3
型号:SQM120N04-1M7L_GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 800+: | ¥11.649477 |
| 1600+: | ¥9.974885 |
| 2400+: | ¥9.392429 |
| 5600+: | ¥9.011075 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00