
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥17.170539 | ¥17.17 |
| 50 | ¥13.784816 | ¥689.24 |
| 100 | ¥11.341997 | ¥1134.20 |
| 500 | ¥9.59721 | ¥4798.61 |
| 1000 | ¥8.143084 | ¥8143.08 |
制造商 Toshiba
商标名 MOSVII
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 550 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 38 nC
耗散功率 45 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 15 mm
长度 10 mm
宽度 4.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0TK12A60D(STA4,Q,M)
型号:TK12A60D(STA4,Q,M)
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥17.170539 |
| 50+: | ¥13.784816 |
| 100+: | ¥11.341997 |
| 500+: | ¥9.59721 |
| 1000+: | ¥8.143084 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥17.17