
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥10.572494 | ¥10.57 |
| 10 | ¥9.200928 | ¥92.01 |
| 100 | ¥6.366358 | ¥636.64 |
| 500 | ¥5.319966 | ¥2659.98 |
| 1000 | ¥4.5276 | ¥4527.60 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 1.9 A
漏源电阻 2.8 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 5.8 nC
耗散功率 6.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 40 ns
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 12 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPN80R3K3P7 SP001664992
单位重量 116.010 mg
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0IPN80R3K3P7ATMA1
型号:IPN80R3K3P7ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥10.572494 |
| 10+: | ¥9.200928 |
| 100+: | ¥6.366358 |
| 500+: | ¥5.319966 |
| 1000+: | ¥4.5276 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥10.57