货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥5.108894 | ¥5.11 |
10 | ¥3.613608 | ¥36.14 |
100 | ¥1.824251 | ¥182.43 |
500 | ¥1.617152 | ¥808.58 |
1000 | ¥1.258534 | ¥1258.53 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 5 A
漏源电阻 33 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 6.9 nC
耗散功率 1.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
上升时间 6 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 6 ns
高度 1.45 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI2347DS-T1-BE3
单位重量 8 mg
购物车
0SI2347DS-T1-GE3
型号:SI2347DS-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥5.108894 |
10+: | ¥3.613608 |
100+: | ¥1.824251 |
500+: | ¥1.617152 |
1000+: | ¥1.258534 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.11