货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥15.30105 | ¥15.30 |
10 | ¥13.773444 | ¥137.73 |
100 | ¥11.071843 | ¥1107.18 |
500 | ¥9.096807 | ¥4548.40 |
1000 | ¥7.537317 | ¥7537.32 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 10 A
漏源电阻 360 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 18 nC
耗散功率 83 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 6 S
上升时间 11 ns
典型关闭延迟时间 34 ns
典型接通延迟时间 12 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
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0FCU360N65S3R0
型号:FCU360N65S3R0
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥15.30105 |
10+: | ¥13.773444 |
100+: | ¥11.071843 |
500+: | ¥9.096807 |
1000+: | ¥7.537317 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥15.30