货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥12.715953 | ¥12.72 |
10 | ¥11.030019 | ¥110.30 |
100 | ¥7.639574 | ¥763.96 |
500 | ¥6.38341 | ¥3191.70 |
1000 | ¥5.432713 | ¥5432.71 |
2000 | ¥4.838635 | ¥9677.27 |
制造商 Infineon
商标名 StrongIRFET
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 120 A
漏源电阻 4.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 41 nC
耗散功率 3.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
正向跨导(Min) 81 S
上升时间 33 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 18 ns
典型接通延迟时间 15 ns
高度 0.83 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFH8318TRPBF SP001572710
单位重量 122.136 mg
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0IRFH8318TRPBF
型号:IRFH8318TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥12.715953 |
10+: | ¥11.030019 |
100+: | ¥7.639574 |
500+: | ¥6.38341 |
1000+: | ¥5.432713 |
2000+: | ¥4.838635 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥12.72