
货期:国内(1~3工作日)
起订量:800
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 800 | ¥9.541719 | ¥7633.38 |
| 1600 | ¥8.170097 | ¥13072.16 |
| 2400 | ¥8.050826 | ¥19321.98 |
| 5600 | ¥7.335197 | ¥41077.10 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 185 nC
耗散功率 375 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 115 S
上升时间 14 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 44 ns
典型接通延迟时间 13 ns
高度 4.83 mm
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
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0SQM100N10-10_GE3
型号:SQM100N10-10_GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 800+: | ¥9.541719 |
| 1600+: | ¥8.170097 |
| 2400+: | ¥8.050826 |
| 5600+: | ¥7.335197 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00