BSO083N03MSGXUMA1
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- 制造商编号：
- BSO083N03MSGXUMA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V 11A 8DSO
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥9.775309 | ￥9.78 |
| 10 | ￥8.401099 | ￥84.01 |
| 25 | ￥7.876915 | ￥196.92 |
| 100 | ￥7.131726 | ￥713.17 |
| 250 | ￥6.677244 | ￥1669.31 |
| 500 | ￥6.3531 | ￥3176.55 |
| 1000 | ￥6.029099 | ￥6029.10 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
BSO083N03MSGXUMA1
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 30V 11A 8DSO
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
OptiMOS™
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
11A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
8.3mOhm @ 14A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
27nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
2100pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.56W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PG-DSO-8
封装/外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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注
BSO083N03MSGXUMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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、BSO083N03MSGXUMA1
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。
BSO083N03MSGXUMA1
型号：BSO083N03MSGXUMA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥9.775309 |
| 10+： | ￥8.401099 |
| 25+： | ￥7.876915 |
| 100+： | ￥7.131726 |
| 250+： | ￥6.677244 |
| 500+： | ￥6.3531 |
| 1000+： | ￥6.029099 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥9.78