
货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ¥2.924665 | ¥7311.66 |
| 5000 | ¥2.77846 | ¥13892.30 |
| 12500 | ¥2.67398 | ¥33424.75 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 70 A
漏源电阻 12 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 41.3 nC
耗散功率 60 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9.7 ns
上升时间 4.3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 23.4 ns
典型接通延迟时间 5.7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 340 mg
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0DMTH6010LK3Q-13
型号:DMTH6010LK3Q-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 2500+: | ¥2.924665 |
| 5000+: | ¥2.77846 |
| 12500+: | ¥2.67398 |
货期:1-2天
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