货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥7.15049 | ¥7.15 |
10 | ¥6.39373 | ¥63.94 |
25 | ¥6.065999 | ¥151.65 |
100 | ¥4.550096 | ¥455.01 |
250 | ¥4.506477 | ¥1126.62 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1 kV
漏极电流 2.5 A
漏源电阻 7 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 7.9 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0DMN95H8D5HCT
型号:DMN95H8D5HCT
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥7.15049 |
10+: | ¥6.39373 |
25+: | ¥6.065999 |
100+: | ¥4.550096 |
250+: | ¥4.506477 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥7.15