
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥5.846642 | ¥5.85 |
| 10 | ¥5.227872 | ¥52.28 |
| 25 | ¥4.959901 | ¥124.00 |
| 100 | ¥3.720413 | ¥372.04 |
| 250 | ¥3.684749 | ¥921.19 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1 kV
漏极电流 2.5 A
漏源电阻 7 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 7.9 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0DMN95H8D5HCT
型号:DMN95H8D5HCT
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥5.846642 |
| 10+: | ¥5.227872 |
| 25+: | ¥4.959901 |
| 100+: | ¥3.720413 |
| 250+: | ¥3.684749 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥5.85