TSM7ND60CI
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- 制造商编号：
- TSM7ND60CI
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- 600V 7A SINGLE N-CHANNEL POWER M
- 渠道：
- digikey
库存 ：3963
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥17.916234 | ￥17.92 |
| 10 | ￥16.06283 | ￥160.63 |
| 25 | ￥15.247333 | ￥381.18 |
| 100 | ￥11.436736 | ￥1143.67 |
| 250 | ￥11.327015 | ￥2831.75 |
| 500 | ￥9.693548 | ￥4846.77 |
| 1000 | ￥7.896365 | ￥7896.37 |
| 2500 | ￥7.787508 | ￥19468.77 |
| 5000 | ￥7.079508 | ￥35397.54 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
TSM7ND60CI
制造商
Taiwan Semiconductor(台湾集成电路制造)
商品描述
600V 7A SINGLE N-CHANNEL POWER M
包装
Tube
系列
-
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
1.2Ohm @ 2A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3.8V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
25nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1108pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
50W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
ITO-220
封装/外壳
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
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注
TSM7ND60CI品牌厂家：Taiwan Semiconductor
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、TSM7ND60CI
数据手册PDF。
TSM7ND60CI
型号：TSM7ND60CI
品牌：Taiwan Semiconductor
供货：锐单
库存：3963 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥17.916234 |
| 10+： | ￥16.06283 |
| 25+： | ￥15.247333 |
| 100+： | ￥11.436736 |
| 250+： | ￥11.327015 |
| 500+： | ￥9.693548 |
| 1000+： | ￥7.896365 |
| 2500+： | ￥7.787508 |
| 5000+： | ￥7.079508 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥17.92