
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥39.146803 | ¥39.15 |
| 10 | ¥32.53185 | ¥325.32 |
| 100 | ¥25.886897 | ¥2588.69 |
| 500 | ¥21.904779 | ¥10952.39 |
| 1000 | ¥18.585874 | ¥18585.87 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 7.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 50.8 nC
耗散功率 104 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
正向跨导(Min) 73 S
上升时间 9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 38 ns
典型接通延迟时间 11 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIR804DP-GE3
单位重量 506.600 mg
购物车
0SIR804DP-T1-GE3
型号:SIR804DP-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥39.146803 |
| 10+: | ¥32.53185 |
| 100+: | ¥25.886897 |
| 500+: | ¥21.904779 |
| 1000+: | ¥18.585874 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥39.15