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SIR804DP-T1-GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SIR804DP-T1-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
渠道:
digikey

库存 :0

货期: 8周-10周

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 39.146803 39.15
10 32.53185 325.32
100 25.886897 2588.69
500 21.904779 10952.39
1000 18.585874 18585.87

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET, PowerPAK

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 100 V

漏极电流 60 A

漏源电阻 7.2 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1.2 V

栅极电荷 50.8 nC

耗散功率 104 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 11 ns

正向跨导(Min) 73 S

上升时间 9 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 38 ns

典型接通延迟时间 11 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 SIR804DP-GE3

单位重量 506.600 mg

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SIR804DP-T1-GE3

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型号:SIR804DP-T1-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:0 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥39.146803
10+: ¥32.53185
100+: ¥25.886897
500+: ¥21.904779
1000+: ¥18.585874

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