
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ : 需询价 | ||
制造商 onsemi
商标名 QFET
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 300 V
漏极电流 9 A
漏源电阻 450 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 22 nC
耗散功率 98 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 48 ns
正向跨导(Min) 4.9 S
上升时间 120 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 27 ns
典型接通延迟时间 16 ns
高度 16.3 mm
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
零件号别名 FQP9N30_NL
单位重量 2 g
购物车
0FQP9N30
型号:FQP9N30
品牌:ON
供货:锐单
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00