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| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ : 需询价 | ||
制造商 onsemi
商标名 QFET
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 11.5 A
漏源电阻 470 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 40 nC
耗散功率 120 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 60 ns
正向跨导(Min) 6.4 S
上升时间 195 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 20 ns
高度 16.3 mm
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
零件号别名 FQP12P20_NL
单位重量 2 g
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0FQP12P20
型号:FQP12P20
品牌:ON
供货:锐单
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货期:1-2天
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