TSM9ND50CI
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- 制造商编号：
- TSM9ND50CI
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- 500V, 9A, 0.9O SINGLE N-CHANNEL
- 渠道：
- digikey
库存 ：3990
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥18.286915 | ￥18.29 |
| 10 | ￥16.347019 | ￥163.47 |
| 25 | ￥15.519166 | ￥387.98 |
| 100 | ￥11.639375 | ￥1163.94 |
| 250 | ￥11.528664 | ￥2882.17 |
| 500 | ￥9.86579 | ￥4932.90 |
| 1000 | ￥8.036728 | ￥8036.73 |
| 2500 | ￥7.925896 | ￥19814.74 |
| 5000 | ￥7.205291 | ￥36026.46 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
TSM9ND50CI
制造商
Taiwan Semiconductor(台湾集成电路制造)
商品描述
500V, 9A, 0.9O SINGLE N-CHANNEL
包装
Tube
系列
-
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
900mOhm @ 2.3A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3.8V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
24.5nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1116pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
50W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
ITO-220
封装/外壳
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
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注
TSM9ND50CI品牌厂家：Taiwan Semiconductor
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、TSM9ND50CI
数据手册PDF。
TSM9ND50CI
型号：TSM9ND50CI
品牌：Taiwan Semiconductor
供货：锐单
库存：3990 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥18.286915 |
| 10+： | ￥16.347019 |
| 25+： | ￥15.519166 |
| 100+： | ￥11.639375 |
| 250+： | ￥11.528664 |
| 500+： | ￥9.86579 |
| 1000+： | ￥8.036728 |
| 2500+： | ￥7.925896 |
| 5000+： | ￥7.205291 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥18.29