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起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥9.081123 | ¥9.08 |
10 | ¥8.094355 | ¥80.94 |
25 | ¥7.685347 | ¥192.13 |
100 | ¥5.763295 | ¥576.33 |
250 | ¥5.70838 | ¥1427.10 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 950 V
漏极电流 2.5 A
漏源电阻 5.5 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 7.9 nC
耗散功率 30 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 17 ns
上升时间 21 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 17.6 ns
典型接通延迟时间 16 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 1.850 g
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0DMN95H8D5HCTI
型号:DMN95H8D5HCTI
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥9.081123 |
10+: | ¥8.094355 |
25+: | ¥7.685347 |
100+: | ¥5.763295 |
250+: | ¥5.70838 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥9.08