货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥10.934083 | ¥10.93 |
10 | ¥9.844842 | ¥98.45 |
100 | ¥7.915043 | ¥791.50 |
500 | ¥6.503079 | ¥3251.54 |
制造商 onsemi
商标名 QFET
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 19.4 A
漏源电阻 150 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 40 nC
耗散功率 140 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 80 ns
正向跨导(Min) 14.5 S
上升时间 190 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 55 ns
典型接通延迟时间 20 ns
高度 16.3 mm
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
零件号别名 FQP19N20_NL
单位重量 2 g
购物车
0FQP19N20
型号:FQP19N20
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥10.934083 |
10+: | ¥9.844842 |
100+: | ¥7.915043 |
500+: | ¥6.503079 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥10.93