
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥7.425235 | ¥7.43 |
| 10 | ¥6.624245 | ¥66.24 |
| 25 | ¥6.286309 | ¥157.16 |
| 100 | ¥4.714732 | ¥471.47 |
| 250 | ¥4.66983 | ¥1167.46 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVIII-H
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 58 A
漏源电阻 4.4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 46 nC
耗散功率 35 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 15 mm
长度 10 mm
宽度 4.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0TK58A06N1,S4X
型号:TK58A06N1,S4X
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥7.425235 |
| 10+: | ¥6.624245 |
| 25+: | ¥6.286309 |
| 100+: | ¥4.714732 |
| 250+: | ¥4.66983 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥7.43