
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥13.407572 | ¥13.41 |
| 10 | ¥10.15475 | ¥101.55 |
| 30 | ¥9.560325 | ¥286.81 |
| 100 | ¥8.949389 | ¥894.94 |
| 500 | ¥8.685201 | ¥4342.60 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 16 A
漏源电阻 6.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.7 V
栅极电荷 26 nC
耗散功率 2.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 14 ns
正向跨导(Min) 56 S
上升时间 74 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 14 ns
典型接通延迟时间 14 ns
高度 0.9 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 HEXFET Power MOSFET
单位重量 122.136 mg
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0IRFHM8329TRPBF
型号:IRFHM8329TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥13.407572 |
| 10+: | ¥10.15475 |
| 30+: | ¥9.560325 |
| 100+: | ¥8.949389 |
| 500+: | ¥8.685201 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥13.41