货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥11.69358 | ¥11.69 |
10 | ¥8.85659 | ¥88.57 |
30 | ¥8.338156 | ¥250.14 |
100 | ¥7.805321 | ¥780.53 |
500 | ¥7.574905 | ¥3787.45 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 16 A
漏源电阻 6.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.7 V
栅极电荷 26 nC
耗散功率 2.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 14 ns
正向跨导(Min) 56 S
上升时间 74 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 14 ns
典型接通延迟时间 14 ns
高度 0.9 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 HEXFET Power MOSFET
单位重量 122.136 mg
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0IRFHM8329TRPBF
型号:IRFHM8329TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥11.69358 |
10+: | ¥8.85659 |
30+: | ¥8.338156 |
100+: | ¥7.805321 |
500+: | ¥7.574905 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥11.69