FQA19N60
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- 制造商编号：
- FQA19N60
- 制造商：
- ON(安森美)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 600V 18.5A TO-3P
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：450
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 450 | ￥55.065346 | ￥24779.41 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 QFET
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 18.5 A
漏源电阻 380 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 70 nC
耗散功率 300 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 135 ns
正向跨导（Min） 16 S
上升时间 210 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 150 ns
典型接通延迟时间 65 ns
外形参数
高度 20.1 mm
长度 16.2 mm
宽度 5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
零件号别名 FQA19N60_NL
单位重量 4.600 g
FQA19N60 同类别型号
注
FQA19N60品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、FQA19N60
数据手册PDF。
FQA19N60
型号：FQA19N60
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 450+： | ￥55.065346 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00