货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥116.543186 | ¥116.54 |
10 | ¥99.936169 | ¥999.36 |
100 | ¥83.281174 | ¥8328.12 |
800 | ¥73.483499 | ¥58786.80 |
1600 | ¥66.135241 | ¥105816.39 |
2400 | ¥61.971104 | ¥148730.65 |
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 171 A
漏源电阻 3.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4.5 V
栅极电荷 102 nC
耗散功率 214 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 29 ns
正向跨导(Min) 180 S
上升时间 49 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 71 ns
典型接通延迟时间 36 ns
高度 16.3 mm
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 FDP039N08B_F102
单位重量 2 g
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0FDP039N08B-F102
型号:FDP039N08B-F102
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥116.543186 |
10+: | ¥99.936169 |
100+: | ¥83.281174 |
800+: | ¥73.483499 |
1600+: | ¥66.135241 |
2400+: | ¥61.971104 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥116.54