
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥116.539649 | ¥116.54 |
| 10 | ¥99.933137 | ¥999.33 |
| 100 | ¥83.278646 | ¥8327.86 |
| 800 | ¥73.481268 | ¥58785.01 |
| 1600 | ¥66.133234 | ¥105813.17 |
| 2400 | ¥61.969224 | ¥148726.14 |
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 171 A
漏源电阻 3.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4.5 V
栅极电荷 102 nC
耗散功率 214 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 29 ns
正向跨导(Min) 180 S
上升时间 49 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 71 ns
典型接通延迟时间 36 ns
高度 16.3 mm
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 FDP039N08B_F102
单位重量 2 g
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0FDP039N08B-F102
型号:FDP039N08B-F102
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥116.539649 |
| 10+: | ¥99.933137 |
| 100+: | ¥83.278646 |
| 800+: | ¥73.481268 |
| 1600+: | ¥66.133234 |
| 2400+: | ¥61.969224 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥116.54