货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥11.022373 | ¥11.02 |
10 | ¥9.887525 | ¥98.88 |
100 | ¥7.946544 | ¥794.65 |
500 | ¥6.528637 | ¥3264.32 |
1000 | ¥5.595974 | ¥5595.97 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 7 A
漏源电阻 600 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 24 nC
耗散功率 78 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
上升时间 12 ns
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 14 ns
高度 2.38 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
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0SIHD6N65E-GE3
型号:SIHD6N65E-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥11.022373 |
10+: | ¥9.887525 |
100+: | ¥7.946544 |
500+: | ¥6.528637 |
1000+: | ¥5.595974 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥11.02