IPD50R399CPATMA1
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- 制造商编号：
- IPD50R399CPATMA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- LOW POWER_LEGACY
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：2500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ￥5.860398 | ￥14651.00 |
规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 500 V
漏极电流 9 A
漏源电阻 399 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 17 nC
耗散功率 83 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 14 ns
上升时间 14 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 80 ns
典型接通延迟时间 35 ns
外形参数
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD50R399CP SP001117700
单位重量 330 mg
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注
IPD50R399CPATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IPD50R399CPATMA1
数据手册PDF
。
IPD50R399CPATMA1
型号：IPD50R399CPATMA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2500+： | ￥5.860398 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00