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起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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3000 | ¥0.707899 | ¥2123.70 |
6000 | ¥0.668571 | ¥4011.43 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 3.8 A
漏源电阻 54 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 620 mV
栅极电荷 8.2 nC
耗散功率 1.4 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.26 ns
正向跨导(Min) 3 S
上升时间 3.49 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 15.02 ns
典型接通延迟时间 1.14 ns
高度 1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMN3150L-7
型号:DMN3150L-7
品牌:DIODES
供货:锐单
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3000+: | ¥0.707899 |
6000+: | ¥0.668571 |
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