货期:(7~10天)
起订量:1
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数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥6.375393 | ¥6.38 |
10 | ¥4.760294 | ¥47.60 |
25 | ¥4.284266 | ¥107.11 |
100 | ¥2.961017 | ¥296.10 |
500 | ¥2.025959 | ¥1012.98 |
1000 | ¥1.55843 | ¥1558.43 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 3.8 A
漏源电阻 54 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 620 mV
栅极电荷 8.2 nC
耗散功率 1.4 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.26 ns
正向跨导(Min) 3 S
上升时间 3.49 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 15.02 ns
典型接通延迟时间 1.14 ns
高度 1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMN3150L-7
型号:DMN3150L-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥6.375393 |
10+: | ¥4.760294 |
25+: | ¥4.284266 |
100+: | ¥2.961017 |
500+: | ¥2.025959 |
1000+: | ¥1.55843 |
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单价:¥0.00总价:¥6.38