
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥10.306443 | ¥10.31 |
| 10 | ¥9.258995 | ¥92.59 |
| 100 | ¥7.441364 | ¥744.14 |
| 500 | ¥6.113738 | ¥3056.87 |
| 1000 | ¥5.065618 | ¥5065.62 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 490 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 9 nC
耗散功率 30 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 19 ns
上升时间 6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 37 ns
典型接通延迟时间 7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPP60R600P7 SP001606032
单位重量 2 g
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0IPP60R600P7XKSA1
型号:IPP60R600P7XKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥10.306443 |
| 10+: | ¥9.258995 |
| 100+: | ¥7.441364 |
| 500+: | ¥6.113738 |
| 1000+: | ¥5.065618 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥10.31