DMJ70H1D3SJ3
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- 制造商编号：
- DMJ70H1D3SJ3
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH TO251
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：75
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 75 | ￥4.795006 | ￥359.63 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 700 V
漏极电流 4.6 A
漏源电阻 1.3 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 13.9 nC
耗散功率 41 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 340 mg
DMJ70H1D3SJ3 同类别型号
注
DMJ70H1D3SJ3品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购DMJ70H1D3SJ3、查询DMJ70H1D3SJ3代理商；
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替代型号
、DMJ70H1D3SJ3
数据手册PDF
。
DMJ70H1D3SJ3
型号：DMJ70H1D3SJ3
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 75+： | ￥4.795006 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00