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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 7 A
漏源电阻 12 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 50 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 70 ns
正向跨导(Min) 6 S
上升时间 35 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 140 ns
典型接通延迟时间 16 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RQ1E070RP
单位重量 10 mg
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0RQ1E070RPTR
型号:RQ1E070RPTR
品牌:ROHM
供货:锐单
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