
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥6.658542 | ¥6.66 |
| 10 | ¥4.986823 | ¥49.87 |
| 100 | ¥3.108265 | ¥310.83 |
| 500 | ¥2.127334 | ¥1063.67 |
| 1000 | ¥1.636301 | ¥1636.30 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 2.8 A
漏源电阻 52 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 350 mV
栅极电荷 5.4 nC
耗散功率 700 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7.2 ns
正向跨导(Min) 7 S
上升时间 9.7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 23.8 ns
典型接通延迟时间 3.5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
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0DMN2065UWQ-7
型号:DMN2065UWQ-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥6.658542 |
| 10+: | ¥4.986823 |
| 100+: | ¥3.108265 |
| 500+: | ¥2.127334 |
| 1000+: | ¥1.636301 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.66