STL23NM50N
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- 制造商编号：
- STL23NM50N
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 500V 2.8A PWRFLT 8X8
- 渠道：
- digikey
库存 ：2746
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥38.67622 | ￥38.68 |
| 10 | ￥34.723595 | ￥347.24 |
| 25 | ￥32.760033 | ￥819.00 |
| 100 | ￥25.55464 | ￥2555.46 |
| 250 | ￥24.898986 | ￥6224.75 |
| 500 | ￥21.622699 | ￥10811.35 |
| 1000 | ￥18.346413 | ￥18346.41 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STL23NM50N
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N-CH 500V 2.8A PWRFLT 8X8
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
MDmesh™ II
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
2.8A (Ta), 14A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
210mOhm @ 7A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
45nC @ 10V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1330pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3W (Ta), 125W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PowerFlat™ (8x8) HV
封装/外壳
8-PowerVDFN
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注
STL23NM50N品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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STL23NM50N
型号：STL23NM50N
品牌：ST
供货：锐单
库存：2746 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥38.67622 |
| 10+： | ￥34.723595 |
| 25+： | ￥32.760033 |
| 100+： | ￥25.55464 |
| 250+： | ￥24.898986 |
| 500+： | ￥21.622699 |
| 1000+： | ￥18.346413 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥38.68