DMN2065UWQ-7
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- 制造商编号：
- DMN2065UWQ-7
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 20V 3.1A SOT323
- 渠道：
- digikey
库存 ：12165
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 2.8 A
漏源电阻 52 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 350 mV
栅极电荷 5.4 nC
耗散功率 700 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7.2 ns
正向跨导（Min） 7 S
上升时间 9.7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 23.8 ns
典型接通延迟时间 3.5 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
DMN2065UWQ-7 同类别型号
注
DMN2065UWQ-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、DMN2065UWQ-7
数据手册PDF
。
DMN2065UWQ-7
型号：DMN2065UWQ-7
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：12165 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00