IPI60R165CPXKSA1
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- 制造商编号：
- IPI60R165CPXKSA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- HIGH POWER_LEGACY
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 500 | ￥36.324479 | ￥18162.24 |
规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 21 A
漏源电阻 165 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 39 nC
耗散功率 192 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
外形参数
高度 9.45 mm
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPI60R165CP SP000680744
单位重量 2.387 g
IPI60R165CPXKSA1 同类别型号
注
IPI60R165CPXKSA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IPI60R165CPXKSA1
数据手册PDF
。
IPI60R165CPXKSA1
型号：IPI60R165CPXKSA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 500+： | ￥36.324479 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00