
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥22.100697 | ¥22.10 |
| 10 | ¥19.720623 | ¥197.21 |
| 25 | ¥18.723257 | ¥468.08 |
| 100 | ¥14.042443 | ¥1404.24 |
| 250 | ¥13.908706 | ¥3477.18 |
| 500 | ¥11.902643 | ¥5951.32 |
| 1000 | ¥9.695973 | ¥9695.97 |
| 2500 | ¥9.562235 | ¥23905.59 |
| 5000 | ¥8.692941 | ¥43464.70 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 6.4 A
漏源电阻 700 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 8 nC
耗散功率 62.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 22 ns
正向跨导(Min) 1.2 S
上升时间 9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 12 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
购物车
0SIHD690N60E-GE3
型号:SIHD690N60E-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥22.100697 |
| 10+: | ¥19.720623 |
| 25+: | ¥18.723257 |
| 100+: | ¥14.042443 |
| 250+: | ¥13.908706 |
| 500+: | ¥11.902643 |
| 1000+: | ¥9.695973 |
| 2500+: | ¥9.562235 |
| 5000+: | ¥8.692941 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥22.10