货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥10.582726 | ¥10.58 |
25 | ¥8.795103 | ¥219.88 |
100 | ¥8.008549 | ¥800.85 |
制造商 Microchip
商标 Microchip Technology
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 350 V
漏极电流 180 mA
漏源电阻 15 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 -
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 40 ns
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 60 ns
典型接通延迟时间 10 ns
高度 5.33 mm
长度 5.21 mm
宽度 4.19 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 FET
单位重量 453.600 mg
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0TP2635N3-G
型号:TP2635N3-G
品牌:MICROCHIP
供货:锐单
单价:
1+: | ¥10.582726 |
25+: | ¥8.795103 |
100+: | ¥8.008549 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥10.58